大阪大学大学院工学研究科の黒崎健准教授のグループは、株式会社日立製作所と共同で、
室温から100℃付近までの低温域で既存材料よりも高い熱電変換出力因子を示す
新物質：YbSiGeを発見しました（図1）。
昨年、大阪大学と株式会社日立製作所は、共同で、室温付近で高い熱電変換出力因子を示す物質として
イッテルビウムシリサイド：YbSi2を開発しました。今回、YbSi2のシリコン（Si）を
ゲルマニウム（Ge）で置換することで性能向上を図ったところ、Siの半分をGeで置換した
YbSiGeにおいて熱電変換出力因子の大幅な向上に成功しました。これにより、
薄く広く大量に存在する低品位な熱エネルギーを高品位な電気エネルギーに変換して
有効活用する熱電発電技術の実用化が期待できます。
本研究成果は、2018年11月5日付で米国物理学協会（American Institute of Physics）が発行するAppliedPhysics Letters 誌にオンライン出版されました。
https://resou.osaka-u.ac.jp/ja/research/2018/20181107_1
